realme GT2 Master Discovery Edition已经确定搭载高通骁龙8+移动平台，采用TSMC 4nm制程工艺，功耗和良品率优于三星的4nm。

今天，数码博主WHYLAB曝光了realme GT2大师探索版的Geekbench 5跑分图，单核1296分，多核4211分，比骁龙8高出近10%当然，考虑到工程机，还有进一步优化的空间

此外，根据跑分图显示，realme GT2大师探索版将配备高达12GB的内存，预计内存规格将由上一代LPDDR4X 2133MHz升级至LPDDR5 3200MHz。

根据之前透露的信息，realme GT2大师探索版将成为OPPO系统首款支持100W快充的机型，并辅以5000mAh双芯电池和后置5000万像素三镜头设计主摄像头有望支持OIS光学防抖

此外，realme GT2大师探索版的外观将由日本知名设计师深泽直人设计，整机颜值将大幅提升realme的副总裁曾经盛赞这将是手机行业设计的天花板